Para Light launches new SiC MOSFETs with improved thermal stability and efficiency for data centers and industrial use. Para Light lanza nuevos MOSFET de SiC con estabilidad térmica y eficiencia mejoradas para centros de datos y uso industrial.

Para Light has launched its ThermaFlat SiC MOSFETs, claiming breakthrough thermal performance with stable on-resistance from -25°C to +125°C. Para Light ha lanzado sus ThermaFlat SiC MOSFET, reclamando un rendimiento térmico innovador con una resistencia estable de -25 °C a + 125 °C. The 650V and 1200V models show minimal resistance increase, reducing cooling needs and boosting efficiency. Los modelos de 650 V y 1200 V muestran un aumento mínimo de la resistencia, reduciendo las necesidades de refrigeración y aumentando la eficiencia. Using a Kelvin source pin in a TO-247-4 package, they cut switching losses by up to 35%. Utilizando un pin fuente Kelvin en un paquete TO-247-4, redujeron las pérdidas de conmutación hasta en un 35%. Targeted at data center power supplies, industrial drives, and UPS systems, the new devices mark Para Light’s entry into the SiC MOSFET market, aiming to set a new standard for power electronics reliability and efficiency. Dirigidos a fuentes de alimentación de centros de datos, unidades industriales y sistemas UPS, los nuevos dispositivos marcan la entrada de Para Light en el mercado SiC MOSFET, con el objetivo de establecer un nuevo estándar para la fiabilidad y eficiencia de la electrónica de potencia.