Chinese scientists created a ultra-efficient chip using a 1-nm ferroelectric material, enabling fast, low-power AI processing on devices. Científicos chinos crearon un chip ultraeficiente utilizando un material ferroeléctrico de 1 nm, que permite un procesamiento rápido y de baja potencia de IA en los dispositivos.

Chinese scientists at Peking University have developed a high-performance computing-in-memory chip using a novel ferroelectric material, creating ultrathin, uniform films just 1 nanometer thick that maintain strong memory properties. Científicos chinos en la Universidad de Pekín han desarrollado un chip de computación en memoria de alto rendimiento utilizando un nuevo material ferroeléctrico, creando películas ultrafinas y uniformes de solo 1 nanómetro de grosor que mantienen fuertes propiedades de memoria. The device operates at 0.8 volts, writes data in 20 nanoseconds, and survives over 1.5 trillion rewrite cycles—exceeding current standards. El dispositivo opera a 0.8 voltios, escribe datos en 20 nanosegundos y sobrevive a más de 1.5 billones de ciclos de reescritura que exceden los estándares actuales. By integrating memory and processing in one unit, it reduces energy use and speeds up computation, with compatibility for existing semiconductor manufacturing. Al integrar memoria y procesamiento en una sola unidad, reduce el consumo de energía y acelera la computación, con compatibilidad para la fabricación de semiconductores existentes. The breakthrough, published in Science, could enable powerful AI processing on everyday devices like smartphones and appliances, cutting reliance on cloud computing. El avance, publicado en Science, podría permitir un potente procesamiento de IA en dispositivos cotidianos como teléfonos inteligentes y electrodomésticos, reduciendo la dependencia de la computación en la nube.