India unveiled homegrown 4-inch SiC wafers and 150W GaN transistors at ESTIC 2025, with PM Modi launching a Rs 1 lakh crore R&D fund. India dio a conocer sus propias obleas SiC de 4 pulgadas y transistores GaN de 150 W en ESTIC 2025, con el primer ministro Modi lanzando un fondo de investigación y desarrollo de Rs 1 lakh crore.

India's DRDO showcased progress in semiconductor manufacturing at ESTIC 2025 in New Delhi, highlighting indigenous development of 4-inch Silicon Carbide wafers and 150W Gallium Nitride transistors. El DRDO de India mostró el progreso en la fabricación de semiconductores en ESTIC 2025 en Nueva Delhi, destacando el desarrollo autóctono de obleas de carburo de silicio de 4 pulgadas y transistores de nitruro de galio de 150 W. The event, themed 'Viksit Bharat 2047,' was inaugurated by Prime Minister Narendra Modi, who launched a Rs 1 lakh crore R&D fund to boost private sector innovation. El evento, con el tema 'Viksit Bharat 2047', fue inaugurado por el Primer Ministro Narendra Modi, quien lanzó un fondo de Rs 1 lakh crore R&D para impulsar la innovación del sector privado. Over 3,000 participants, including scientists and industry leaders, discussed advancements in AI, quantum science, space tech, and sustainable energy. Más de 3.000 participantes, incluidos científicos y líderes de la industria, discutieron los avances en la IA, la ciencia cuántica, la tecnología espacial y la energía sostenible.