ROHM and TSMC partner to develop GaN power devices for electric vehicles, leveraging advanced manufacturing. ROHM y TSMC se han asociado para desarrollar dispositivos de alimentación GaN para vehículos eléctricos, aprovechando la fabricación avanzada.

ROHM and TSMC have formed a partnership to develop gallium nitride (GaN) power devices for electric vehicles. ROHM y TSMC han formado una asociación para desarrollar dispositivos de potencia de nitruro galio (GaN) para vehículos eléctricos. GaN offers better high-voltage and high-frequency properties than silicon, which is key for EV components like chargers and inverters. GaN ofrece mejores propiedades de alta tensión y alta frecuencia que el silicio, que es clave para componentes de EV como cargadores e inversores. This collaboration combines ROHM's device technology with TSMC's GaN manufacturing process, aiming to boost GaN's adoption in the automotive sector. Esta colaboración combina la tecnología de dispositivos de ROHM con el proceso de fabricación GaN de TSMC, con el objetivo de impulsar la adopción de GaN en el sector del automóvil.