Toshiba completes 300-mm wafer fabrication facility for power semiconductors in Japan, marking Phase 1 of a multi-year investment program. Toshiba completa una instalación de fabricación de obleas de 300 mm para semiconductores de potencia en Japón, lo que marca la Fase 1 de un programa de inversión de varios años.
Toshiba has completed a new 300-mm wafer fabrication facility for power semiconductors at Kaga Toshiba Electronics Corporation in Japan. Toshiba ha completado una nueva instalación de fabricación de obleas de 300 mm para semiconductores de potencia en Kaga Toshiba Electronics Corporation en Japón. This milestone marks the start of Phase 1 of Toshiba's multi-year investment program. Este hito marca el inicio de la Fase 1 del programa de inversión plurianual de Toshiba. The facility features a seismic isolation structure, redundant power sources, and will be powered by renewable energy. La instalación cuenta con una estructura de aislamiento sísmico, fuentes de energía redundantes y funcionará con energía renovable. Mass production is expected to begin in the second half of fiscal year 2024, increasing Toshiba's power semiconductor production capacity by 2.5 times compared to fiscal 2021. Se espera que la producción en masa comience en la segunda mitad del año fiscal 2024, lo que aumentará 2,5 veces la capacidad de producción de semiconductores de potencia de Toshiba en comparación con el año fiscal 2021.